需求與必要性

　　集成電路關鍵材料檢測及裝備是影響集成電路產業發展的決定性因素。我國集成電路關鍵材料自主可控能力差，對先進集成電路發展需求極為迫切。在國家集成電路產業投資基金和現實需求的推動下，以市場為導向，“政產學研用金服”結合，著力實施集成電路關鍵材料及裝備自主可控工程迫在眉睫。

　　為此，需著重加強兩方面建設：一是人才隊伍建設，包括設置集成電路人才專項基金，加大核心技術人才的吸引力度;加強具有示范性微電子學院的高校支持，進行集成電路人才的可持續培養。二是穩定的資金供給。硅片制造屬于重資產產業，產品驗證周期長，周期性特點明顯，約每 5 年一個周期，因此要對發展重點進行謹慎判斷。

　　工程目標

　　通過本工程的實施，加強集成電路關鍵材料檢測的產業化能力和可持續研發能力，擴大集成電路材料人才培養規模、豐富人才層次體系，主要的集成電路材料技術水平達到國際先進，產業水平基本滿足產業鏈供應安全的需要，建立起全產業鏈供貨能力，解除關鍵行業的“卡脖子”隱憂。

　　提升 12 in Si 單晶及其外延材料的技術水平，以滿足并進入主流代工廠 14 nm 及以下工藝節點為目標，在確保集成電路產業鏈安全的前提下，逐步擴大國產材料的市場份額。

　　18 in Si 單晶及其外延材料研究，重點突破 18 in 單晶 Si 及其外延材料的制造技術，確保我國集成電路產業的可持續發展。

　　通過 TSV、TGV 等新型 3D 集成技術研究，完成后硅時代集成電路的技術路線篩選，在掌握其材料制備技術的同時，打通后硅時代集成電路的全產業鏈技術，確保 2035 年后，我國在后硅時代集成電路領域的產業技術水平和關鍵行業的供應鏈安全。

　　實現 12 in 及以下大尺寸 Si 單晶生長設備及大尺寸晶圓的加工設備自主可控;開發 18 in 單晶 Si 生長設備，為 18 in 單晶 Si 研制和產業化提供裝備支持。

　　工程任務

　　在大硅片方面，結合大數據和云計算等技術發展需求背景，在國家集成電路專項科技計劃資助的基礎上，一方面，提升常規 12 in 高品質(滿足 14 nm 工藝)硅片的制造能力，在 2025 年確保國內實現量產供應，同時打開國際市場，滿足現階段經濟和社會發展需求;另一方面，進一步加強新技術的研發，建設 12 in SOI(絕緣襯底上的 Si)、射頻微波用大尺寸高阻硅(HR-Si)襯底的生產能力;同時對 18 in Si 襯底進行技術儲備，實現集成電路技術的可持續發展。

　　在集成電路關鍵材料檢測方面，針對品種多、用量小、生產工藝穩定性差等問題，建立若干集成電路輔助材料工程中心，兼顧市場規律和產業供應鏈安全兩方面因素，不斷強化自主保障意識，優先實現量大面廣的關鍵品種的全產業鏈自主保障，如 G 線、I 線、ArF 光刻膠及配套試劑、Cu 及其阻擋層拋光液、TSV 拋光液、Si 粗拋液、60 nm 及 90 nm 以上制程產品的掩膜版等，確保產業供應鏈的相對安全。

　　對標集成電路先進制程，開發 ArF、 EUV 和電子束光刻膠，高檔高純石英掩膜基板、掩膜保護膜，以及 Si 片精拋和化合物半導體拋光液， 14 nm 以下 FinFET 工藝和 Co、Rb 等金屬互聯材料、 STI 等拋光液，為半導體產業的發展提供技術及產業支持。

　　在半導體關鍵設備方面，對國產品牌還需進行產業鏈及政策的重點培育。在國家科技重大專項“極大規模集成電路制造技術及成套工藝”項目(02 專項)成果的基礎上，加強對裝備與材料、工藝一體化的研制，通過國產化裝備驗證平臺，開展對裝備可靠性和工藝穩定性的驗證與考核，加速開展高端裝備研制。總之，在解決有無問題的基礎上，解決做大做強的問題。

　　集成電路關鍵材料檢測在人才培養方面，半導體專業人才特別是高端人才短缺，一直是制約我國半導體產業可持續發展的關鍵因素。設置半導體人才專項基金，加大核心人才引進力度;加快建設微電子產教融合協同育人平臺，保障我國半導體產業的可持續發展。